Memory簡介
通常我們所稱的記憶體，指的是插在主機板上的DRAM。現在我們常用的DRAM模組有SIMM 【Single In-line Memory Module；30 pin與 72 pin】與【DIMM；Double In-line Memory Module；168 pin】
30 pin的模組提供486以前的主機板使用；72 pin模組是目前的主流；168 pin模組則為新一代的產品。其差異如下表所列：
種 類
30 pin
72 pin
168 pin
Bit數
8 bits
32 bits
64bits
接腳格式
SIMM
SIMM
DIMM
架 構
Fast Page
FP/EDO
EDO/SDRAM
486安裝單位
4 條
2 條
不支援
P5/P6安裝單位
不支援
2 條
1 條
>> 以上所指的安裝單位為一個Bank
DRAM存取流程：
以記憶體的架構而言，可概括區分為FPM DRAM【Fast Page Mode】、EDO DRAM【Extended Data Out DRAM】、SDRAM【Synchronous DRAM】。
當您欲讀寫一筆資料時，主機板先產生一個RAS# 【列位址選擇】訊號，將DRAM列位址鎖定後，再來會產生4個CAS#【行位址選擇】時序訊號，經DRAM 行位址鎖定後，才能讀、寫資料。以下就各架構分別說明：
FPM：只有在記憶體選取區域在同一個記憶體頁（Page）時，因為RAS#相同，所以才可縮短CAS#的訊號週期；否則，RAS#與CAS#必須重新送出才行。其Read Cycle為3－3－3－3，共12個clock；Write Cycle為 4－3－3－3，共13個clock。
EDO：在第一個RAS#訊號產生並同步鎖定之後，接下來每一個CAS#訊號都縮短一個clock。因此可在相同時間內，讀寫更多的資料。其Read Cycle為3－2－2－2，共9個clock、Write Cycle為4－3－3－3，共13個clock。
雖然EDO的Write Cycle與FPM相同，但一般程式執行多是讀取動作，所以對整體效率仍有一定的助益。
下圖為FPM與EDO的CAS#訊號及資料輸出之比較：
SDRAM：於CPU外部頻66MHz的環境下且無L2 cache 情況下，其Read and Write Cycle皆為5－1－1－1，共8 個clock。SDRAM的CAS#訊號與CPU同步運作，因此不會有CAS#訊號延遲的問題。若資料位於同一列的話，則效能的增加便相當顯著；但若是隨機的位址，則效能提昇就較不易看出。
註1：因為SDRAM採用的電壓為3.3V，所以主機板必須經過特殊的設計，才可以混用。目前技嘉擁有此項專利，因此其全系列產品皆可以混用。
註2：SDRAM的速度分為10ns與12ns；市場上所說的 83MHz即是指12ns的SDRAM、而100MHz指的是10ns 的SDRAM。此部分工作頻率必須Chipset支援時才可達到，否則將以目前使用的CPU外部頻為傳輸頻率。
BIOS中之建議設定：
在主機板BIOS中，「CHIPSET FEATURES SETUP」可針對記憶體的時序作設定，以提昇主機的執行效率。以下對各相關設定分別說明：
1. DRAM Timing
預設值：70ns
選項說明：DRAM的存取時間
建議設定：
FPM—依照所安裝的DRAM時序設定
EDO—依照所安裝的DRAM時序設定
SDRAM—設為60ns
2. DRAM R/W Leadoff Timing
預設值：10/6/4
選項說明：DRAM讀寫前導時序設定。功能是設定在讀寫DRAM之前先執行幾個clock，以確保資料之正確性。 10代表Read Cycle為10－x－x－x、6代表Write Cycle為 6－x－x－x、4代表RAS的Precharge及RAS to CAS的延遲時間皆為4個Cycle。
建議設定：
FPM—70ns設為10/6/4；60ns設為10/6/3
EDO—70ns設為10/6/4；60ns設為10/6/3
SDRAM—設為10/6/3
3. DRAM Read Burst（EDO/FPM）
預設值：x333/x444
選項說明：決定DRAM讀取連續資料區塊時，最快速的讀取時序
建議設定：
FPM—70ns設為x333/x444；60ns設為x222/x333
EDO—70ns設為x333/x444；60ns設為x222/x333
SDRAM—設為x222/x333
4. DRAM Write Burst Timing
預設值：x333
選項說明：決定DRAM寫入連續資料區塊時最快速的寫入時序
建議設定：
FPM—70ns設為x333；60ns設為x222
EDO—70ns設為x333；60ns設為x222
SDRAM—設為x222
5. Fast EDO Leadoff
預設值：Disable
選項說明：指定快速EDO前導時序是否略過，本設定只限EDO DRAM。
建議設定：
FPM—Disable
EDO—Enable
SDRAM—Enable
6. Refresh RAS# Assertion
預設值：4Clks
選項說明：DRAM Refresh時所插入的RAS時序數。
建議設定：
FPM—5Clks
EDO—4Clks
SDRAM—4Clks
7. SDRAM（CAS Lat/RAS-to-CAS）
預設值：3/3
選項說明：SDRAM的時序設定。此選項分為CAS Latency（CAS訊號延遲）及從RAS訊號到CAS訊號所需的時序數。
建議設定：
FPM—設為3/3
EDO—設為3/3
SDRAM—3/3；若使用100MHz的SDRAM，則可設為2/2
8. DRAM Page Idle Timer
預設值：6Clks
選項說明：DRAM頁讀寫模式。在430TX技術手冊中，此項目是指定為「CPU進入閒置模式時，經過多少時序後，把DRAM頁讀寫模式關閉」
建議設定：
FPM—設為6Clks
EDO—設為6Clks
SDRAM—設為6Clks
9. DRAM Enhance Paging
預設值：Enable
選項說明：持續性維持DRAM頁的開啟狀態。此為 430TX主機板特有的選項，指定它開啟。會讓 FPM/EDO記憶體維持較久的讀寫狀態。
建議設定：
FPM—設為Enable
EDO—設為Enable
SDRAM—設為Enable
未來趨勢：
SDRAM理所當然是未來的產品趨勢，但因為目前主機板都有512KB的Level2 Cache，而作業系統大部分的讀寫動作都在Cache中執行、而Intel的晶片組目前僅支援66MHz，因此使用者無法感覺到其有太多的效能提昇、加上它與SIMM仍有一定的價差存在，因此使用的數量並不多。但隨著SDRAM的產能增加、價格降低、容量加大、Intel推出不含L2 cache的CPU及支援100 MHz的晶片組，將逐步取代SIMM的角色。